Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS Calculadora

✖A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.ⓘ Largura de banda [W]			+10% -10%
✖A velocidade de deriva de elétrons de saturação representa a velocidade de deriva de elétrons na saturação em um MOSFET que está em campos elétricos baixos.ⓘ Velocidade de deriva de elétrons de saturação [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Uma Carga é a propriedade fundamental das formas de matéria que exibem atração ou repulsão eletrostática na presença de outra matéria.ⓘ Carregar [q]			+10% -10%
✖Parâmetro de canal curto é um parâmetro (potencialmente específico do modelo) usado para descrever uma característica da região do canal em um MOSFET de canal curto.ⓘ Parâmetro de canal curto [n_x]			+10% -10%
✖O comprimento efetivo do canal é a parte do canal que conduz ativamente a corrente quando o transistor está operando.ⓘ Comprimento Efetivo do Canal [L_eff]			+10% -10%

✖Corrente de drenagem da região de saturação é a corrente que flui do terminal de drenagem para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico.ⓘ Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS [I_D(sat)]

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Fórmula

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Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

Fórmula

I D(sat) = W \cdot V d(sat) \cdot \int (q \cdot n x, x, 0, L eff)

Exemplo

184.2744 A = 2.678 m \cdot 5.773 m/s \cdot \int (0.3 C \cdot 5.12, x, 0, 7.76 m)

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Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem da região de saturação = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Esta fórmula usa 1 Funções, 6 Variáveis

Funções usadas

int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida sinalizada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem da região de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem da região de saturação é a corrente que flui do terminal de drenagem para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.
Velocidade de deriva de elétrons de saturação - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva de elétrons de saturação representa a velocidade de deriva de elétrons na saturação em um MOSFET que está em campos elétricos baixos.
Carregar - (Medido em Coulomb) - Uma Carga é a propriedade fundamental das formas de matéria que exibem atração ou repulsão eletrostática na presença de outra matéria.
Parâmetro de canal curto - Parâmetro de canal curto é um parâmetro (potencialmente específico do modelo) usado para descrever uma característica da região do canal em um MOSFET de canal curto.
Comprimento Efetivo do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento efetivo do canal é a parte do canal que conduz ativamente a corrente quando o transistor está operando.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro Nenhuma conversão necessária
Velocidade de deriva de elétrons de saturação: 5.773 Metro por segundo --> 5.773 Metro por segundo Nenhuma conversão necessária
Carregar: 0.3 Coulomb --> 0.3 Coulomb Nenhuma conversão necessária
Parâmetro de canal curto: 5.12 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento Efetivo do Canal: 7.76 Metro --> 7.76 Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Avaliando ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

184.27442601984 Ampere --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

184.27442601984 ≈ 184.2744 Ampere <-- Corrente de drenagem da região de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Vignesh Naidu

Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

Potencial de Fermi para tipo P

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Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

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