Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela
kn = k'p*WL
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Parâmetro de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância é um parâmetro crucial em dispositivos e circuitos eletrônicos, que ajuda a descrever e quantificar a relação entrada-saída entre tensão e corrente.
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
kn = k'p*WL --> 0.0021*0.1
Avaliando ... ...
kn = 0.00021
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00021 Ampère por Volt Quadrado --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.00021 Ampère por Volt Quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão Fórmula

​LaTeX ​Vai
Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela
kn = k'p*WL

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

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