Corrente de dreno da fonte para o dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)
Id = (W*Qp*μp*Ey)
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Drenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Largura da Junção - (Medido em Metro) - A largura da junção é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.
Cobrança da Camada de Inversão - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Componente horizontal do campo elétrico no canal - (Medido em Volt por Metro) - A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura da Junção: 1.19 Metro --> 1.19 Metro Nenhuma conversão necessária
Cobrança da Camada de Inversão: 0.0017 Coulomb por metro quadrado --> 0.0017 Coulomb por metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Componente horizontal do campo elétrico no canal: 5.5 Volt por Metro --> 5.5 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Id = (W*Qpp*Ey) --> (1.19*0.0017*2.66*5.5)
Avaliando ... ...
Id = 0.02959649
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.02959649 Ampere -->29.59649 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
29.59649 Miliamperes <-- Drenar Corrente
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Aman Dhussawat
INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI
Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente de dreno da fonte para o dreno Fórmula

​LaTeX ​Vai
Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)
Id = (W*Qp*μp*Ey)
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