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Junção SSD Elétrons e Buracos Faixa de energia e portador de carga Portadores de semicondutores

✖A carga total do aceitador refere-se à carga líquida geral associada aos átomos aceitadores em um material ou dispositivo semicondutor.ⓘ Cobrança total do aceitante [\|Q\|]			+10% -10%
✖O tipo P de penetração de carga refere-se ao fenômeno em que átomos dopantes, como boro ou gálio, introduzem buracos na rede cristalina do material semicondutor, normalmente silício ou germânio.ⓘ Tipo P de Penetração de Carga [x_po]			+10% -10%
✖A área de junção é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.ⓘ Área de Junção [A_j]			+10% -10%

✖A concentração de doadores refere-se à concentração ou densidade de átomos doadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]

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Concentração de Doadores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de Doadores = Cobrança total do aceitante/([Charge-e]*Tipo P de Penetração de Carga*Área de Junção)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Variáveis Usadas

Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de doadores refere-se à concentração ou densidade de átomos doadores em um material semicondutor.
Cobrança total do aceitante - (Medido em Coulomb) - A carga total do aceitador refere-se à carga líquida geral associada aos átomos aceitadores em um material ou dispositivo semicondutor.
Tipo P de Penetração de Carga - (Medido em Metro) - O tipo P de penetração de carga refere-se ao fenômeno em que átomos dopantes, como boro ou gálio, introduzem buracos na rede cristalina do material semicondutor, normalmente silício ou germânio.
Área de Junção - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Cobrança total do aceitante: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nenhuma conversão necessária
Tipo P de Penetração de Carga: 0.06 Micrômetro --> 6E-08 Metro (Verifique a conversão aqui)
Área de Junção: 5401.3 Micrometros Quadrados --> 5.4013E-09 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Avaliando ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.50370647427462E+35 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 por metro cúbico <-- Concentração de Doadores

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Capacitância de Junção

LaTeX Vai Capacitância de Junção = (Área de Junção/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Deslocamento de Comprimento Constante*Dopagem Concentração de Base)/(Tensão da fonte-Tensão da fonte 1))

Resistência em série no tipo P

LaTeX Vai Resistência em série na junção P = ((Tensão da fonte-Tensão de Junção)/Corrente elétrica)-Resistência em série na junção N

Tensão de junção

LaTeX Vai Tensão de Junção = Tensão da fonte-(Resistência em série na junção P+Resistência em série na junção N)*Corrente elétrica

Largura tipo N

LaTeX Vai Penetração de carga tipo N = Cobrança total do aceitante/(Área de Junção*Concentração do Aceitador*[Charge-e])

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Concentração de Doadores Fórmula

LaTeX Vai

Concentração de Doadores = Cobrança total do aceitante/([Charge-e]*Tipo P de Penetração de Carga*Área de Junção)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

O que é um átomo doador?

Um doador é um átomo dopante que, quando adicionado a um semicondutor, pode formar uma região do tipo n. Um átomo doador tem mais elétrons disponíveis para ligação com átomos vizinhos do que é necessário para um átomo no semicondutor hospedeiro.

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