Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.ⓘ Concentração de doadores [N_D]			+10% -10%
✖O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.ⓘ Fator de escala [Sf]			+10% -10%

✖A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.ⓘ Concentração de doadores após Full Scaling VLSI [N_D']

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de Doadores após Full Scaling = Concentração de doadores*Fator de escala
N_D' = N_D*Sf
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração de Doadores após Full Scaling - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
Concentração de doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Fator de escala - O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de doadores: 1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Fator de escala: 1.5 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_D' = N_D*Sf --> 1E+23*1.5

Avaliando ... ...

N_D' = 1.5E+23

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.5E+23 1 por metro cúbico -->1.5E+17 1 por centímetro cúbico (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1.5E+17 1 por centímetro cúbico <-- Concentração de Doadores após Full Scaling

(Cálculo concluído em 00.054 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Otimização de materiais VLSI » Concentração de doadores após Full Scaling VLSI

Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Fórmula

LaTeX Vai

Concentração de Doadores após Full Scaling = Concentração de doadores*Fator de escala
N_D' = N_D*Sf

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!