Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de Doadores após Full Scaling = Concentração de doadores*Fator de escala
ND' = ND*Sf
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Concentração de Doadores após Full Scaling - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
Concentração de doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Fator de escala - O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de doadores: 1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Fator de escala: 1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ND' = ND*Sf --> 1E+23*1.5
Avaliando ... ...
ND' = 1.5E+23
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.5E+23 1 por metro cúbico -->1.5E+17 1 por centímetro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.5E+17 1 por centímetro cúbico <-- Concentração de Doadores após Full Scaling
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ LaTeX ​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Fórmula

​LaTeX ​Vai
Concentração de Doadores após Full Scaling = Concentração de doadores*Fator de escala
ND' = ND*Sf
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!