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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Calculadora
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
ⓘ
Concentração de doadores [N
D
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ⓘ
Fator de escala [Sf]
+10%
-10%
✖
A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
ⓘ
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI [N
D
']
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI
Fórmula
N
D
'
=
N
D
⋅
Sf
Exemplo
1.5E+17 /cm³
=
1e+17 /cm³
⋅
1.5
Calculadora
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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de Doadores após Full Scaling
=
Concentração de doadores
*
Fator de escala
N
D
'
=
N
D
*
Sf
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Concentração de Doadores após Full Scaling
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
Concentração de doadores
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Fator de escala
- O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de doadores:
1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Fator de escala:
1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
N
D
' = N
D
*Sf -->
1E+23*1.5
Avaliando ... ...
N
D
'
= 1.5E+23
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.5E+23 1 por metro cúbico -->1.5E+17 1 por centímetro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
1.5E+17 1 por centímetro cúbico
<--
Concentração de Doadores após Full Scaling
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Ver mais >>
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Fórmula
Concentração de Doadores após Full Scaling
=
Concentração de doadores
*
Fator de escala
N
D
'
=
N
D
*
Sf
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