Morrer por wafer Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis
Constantes Usadas
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Morrer por wafer - Die Per Wafer significa o número de matrizes que podem ser feitas a partir de um único wafer.
Diâmetro da bolacha - (Medido em Metro) - O diâmetro do wafer refere-se ao tamanho dos wafers de silício usados no processo de fabricação de semicondutores. Esses wafers servem como material de base sobre os quais os dispositivos semicondutores são construídos.
Tamanho de cada dado - (Medido em Metro quadrado) - O tamanho de cada matriz refere-se às dimensões físicas de um chip semicondutor individual ou circuito integrado (IC), conforme é fabricado em um wafer de silício.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Diâmetro da bolacha: 150 Milímetro --> 0.15 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Tamanho de cada dado: 22 Milimetros Quadrados --> 2.2E-05 Metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)
Avaliando ... ...
DPW = 803.248121656481
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
803.248121656481 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
803.248121656481 803.2481 <-- Morrer por wafer
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)
Resistência do Canal
​ LaTeX ​ Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
Frequência de ganho unitário MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Morrer por wafer Fórmula

​LaTeX ​Vai
Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!