Profundidade de foco Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Profundidade de foco - (Medido em Metro) - A profundidade de foco é um parâmetro crítico que influencia a tolerância a variações na altura do wafer semicondutor.
Fator de Proporcionalidade - O Fator de Proporcionalidade é uma constante que relaciona dois parâmetros fundamentais: a dimensão crítica (CD) e a dose de exposição.
Comprimento de onda em fotolitografia - (Medido em Metro) - Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
Abertura numerica - A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Fator de Proporcionalidade: 3 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento de onda em fotolitografia: 223 Nanômetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Abertura numerica: 0.717 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
DOF = k2l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)
Avaliando ... ...
DOF = 1.30133109247621E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.30133109247621E-06 Metro -->1.30133109247621 Micrômetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.30133109247621 1.301331 Micrômetro <-- Profundidade de foco
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)
Resistência do Canal
​ LaTeX ​ Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
Frequência de ganho unitário MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco Fórmula

​LaTeX ​Vai
Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
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