Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno Calculadora

✖Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.ⓘ Potencial de junção integrado [Φ_o]			+10% -10%
✖A tensão da fonte de drenagem é a tensão aplicada entre o terminal de drenagem e a fonte.ⓘ Tensão da fonte de drenagem [V_DS]			+10% -10%
✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%

✖A região de profundidade de esgotamento do dreno é a região de esgotamento que se forma perto do terminal de dreno quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão.ⓘ Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno [x_dD]

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Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Região de profundidade de esgotamento do dreno = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))
x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Região de profundidade de esgotamento do dreno - (Medido em Metro) - A região de profundidade de esgotamento do dreno é a região de esgotamento que se forma perto do terminal de dreno quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão.
Potencial de junção integrado - (Medido em Volt) - Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.
Tensão da fonte de drenagem - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de drenagem é a tensão aplicada entre o terminal de drenagem e a fonte.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potencial de junção integrado: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão da fonte de drenagem: 45 Volt --> 45 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000))

Avaliando ... ...

x_dD = 72113188.282716

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

72113188.282716 Metro --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

72113188.282716 ≈ 7.2E+7 Metro <-- Região de profundidade de esgotamento do dreno

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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