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Densidade de Carga da Região de Esgotamento Calculadora

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✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [NA]
+10%
-10%
✖Potencial de superfície é o potencial elétrico na superfície do semicondutor, especificamente na interface entre o semicondutor e o isolador.ⓘ Potencial de Superfície [Φs]
+10%
-10%
✖Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.ⓘ Potencial de Fermi em massa [Φf]
+10%
-10%
✖A densidade da carga da camada de esgotamento é a quantidade dessas cargas fixas por unidade de área dentro da região de esgotamento.ⓘ Densidade de Carga da Região de Esgotamento [Qd]
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Densidade de Carga da Região de Esgotamento Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(Potencial de Superfície-Potencial de Fermi em massa)))
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φs-Φf)))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funções, 4 Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus
Variáveis Usadas
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A densidade da carga da camada de esgotamento é a quantidade dessas cargas fixas por unidade de área dentro da região de esgotamento.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - Potencial de superfície é o potencial elétrico na superfície do semicondutor, especificamente na interface entre o semicondutor e o isolador.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Potencial de Superfície: 0.78 Volt --> 0.78 Volt Nenhuma conversão necessária
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φs-Φf))) --> (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25)))
Avaliando ... ...
Qd = 1.61952637096272E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.61952637096272E-06 Elétrons por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.61952637096272E-06 ≈ 1.6E-6 Elétrons por metro cúbico <-- Densidade de Carga da Camada de Esgotamento
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ LaTeX ​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ LaTeX ​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Densidade de Carga da Região de Esgotamento Fórmula

​LaTeX ​Vai
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(Potencial de Superfície-Potencial de Fermi em massa)))
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φs-Φf)))
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