✖A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [μe] | | | +10% -10% |
✖capacitância de óxido é a capacitância do capacitor de placa paralela por área de porta unitária.ⓘ Capacitância de Óxido [Cox] | | | +10% -10% |
✖Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.ⓘ Largura do canal [Wc] | | | +10% -10% |
✖O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.ⓘ Comprimento do canal [L] | | | +10% -10% |
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [Vox] | | | +10% -10% |
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [Vt] | | | +10% -10% |
✖A tensão de saturação entre o dreno e a fonte em um transistor é uma tensão do coletor e do emissor necessária para a saturação.ⓘ Tensão de saturação entre dreno e fonte [Vds] | | | +10% -10% |