Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
Vy = μp*Ey
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Velocidade de deriva da inversão - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico.
Mobilidade de Furos no Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,
Componente horizontal do campo elétrico no canal - (Medido em Volt por Metro) - A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade de Furos no Canal: 2.66 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.66 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Componente horizontal do campo elétrico no canal: 5.5 Volt por Metro --> 5.5 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vy = μp*Ey --> 2.66*5.5
Avaliando ... ...
Vy = 14.63
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
14.63 Metro por segundo -->1463 Centímetro por Segundo (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1463 Centímetro por Segundo <-- Velocidade de deriva da inversão
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

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Criado por Aman Dhussawat
INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI
Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Fórmula

​LaTeX ​Vai
Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
Vy = μp*Ey
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