Corrente no canal de inversão do PMOS Calculadora

✖A largura da junção é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.ⓘ Largura da Junção [W]			+10% -10%
✖A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.ⓘ Cobrança da Camada de Inversão [Q_p]			+10% -10%
✖A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Velocidade de deriva da inversão [V_y]			+10% -10%

✖A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Corrente no canal de inversão do PMOS [I_d]

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Corrente no canal de inversão do PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)
I_d = (W*Q_p*V_y)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Largura da Junção - (Medido em Metro) - A largura da junção é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.
Cobrança da Camada de Inversão - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.
Velocidade de deriva da inversão - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura da Junção: 1.19 Metro --> 1.19 Metro Nenhuma conversão necessária
Cobrança da Camada de Inversão: 0.0017 Coulomb por metro quadrado --> 0.0017 Coulomb por metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Velocidade de deriva da inversão: 1463 Centímetro por Segundo --> 14.63 Metro por segundo (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = (W*Q_p*V_y) --> (1.19*0.0017*14.63)

Avaliando ... ...

I_d = 0.02959649

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.02959649 Ampere -->29.59649 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

29.59649 Miliamperes <-- Drenar Corrente

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

LaTeX Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

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