Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds
Esta fórmula usa 8 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de saída - (Medido em Ampere) - Corrente de saída é a corrente que o amplificador consome da fonte do sinal.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad por metro quadrado) - capacitância de óxido é a capacitância do capacitor de placa paralela por área de porta unitária.
Largura do canal - (Medido em Metro) - Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Tensão de saturação entre dreno e fonte - (Medido em Volt) - A tensão de saturação entre o dreno e a fonte em um transistor é uma tensão do coletor e do emissor necessária para a saturação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade do Elétron: 0.012 Metro quadrado por volt por segundo --> 0.012 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.001 Farad por metro quadrado --> 0.001 Farad por metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura do canal: 10.15 Micrômetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 3.25 Micrômetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de saturação entre dreno e fonte: 220 Volt --> 220 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220
Avaliando ... ...
io = 0.0146347384615385
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0146347384615385 Ampere -->14.6347384615385 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
14.6347384615385 14.63474 Miliamperes <-- Corrente de saída
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido
​ LaTeX ​ Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte
Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2
Tensão de dreno instantânea total
​ LaTeX ​ Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem
Tensão de entrada no transistor
​ LaTeX ​ Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds

Explique o funcionamento do transistor NMOS.

Um transistor NMOS com a tensão na fonte de gás> tensão limite e com uma pequena tensão aplicada entre o dreno e a fonte. O dispositivo atua como uma resistência cujo valor é determinado pela tensão na fonte de gás. Especificamente, a condutância do canal é proporcional à tensão na fonte de gás - tensão de limiar e, portanto, Id é proporcional à tensão (tensão na fonte de gás - tensão de limiar) entre o dreno e a fonte.

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