Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*(Vds)^2)
Esta fórmula usa 7 Variáveis
Variáveis Usadas
Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão da fonte do portão - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão da Fonte de Dreno - (Medido em Volt) - Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão da fonte do portão: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão da Fonte de Dreno: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*(Vds)^2) --> 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*(8.43)^2)
Avaliando ... ...
Id = 0.239693
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.239693 Ampere -->239.693 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
239.693 Miliamperes <-- Drenar corrente em NMOS
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*(Vds)^2)

O que é uma região triodo no MOSFET? É diferente da região linear?

Diz-se que um MOSFET opera em 3 regiões, corte, triodo e saturação, com base na condição da camada de inversão existente entre a fonte e o dreno. A região triodo é a região operacional onde existe a região de inversão e a corrente flui, mas esta região começou a diminuir perto da fonte. O requisito potencial aqui é Vds

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