Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.ⓘ Largura do Canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.ⓘ Comprimento do Canal [L]			+10% -10%
✖A tensão de overdrive no NMOS geralmente se refere à tensão aplicada a um dispositivo ou componente que excede sua tensão operacional normal.ⓘ Tensão Overdrive em NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.ⓘ Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva [I_ds]

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Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão Overdrive em NMOS - (Medido em Volt) - A tensão de overdrive no NMOS geralmente se refere à tensão aplicada a um dispositivo ou componente que excede sua tensão operacional normal.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão Overdrive em NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2

Avaliando ... ...

I_ds = 0.239701333333333

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

239.701333333333 ≈ 239.7013 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

LaTeX Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

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Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva Fórmula

LaTeX Vai

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2

O que é região de saturação?

A segunda região é chamada de “saturação”. É aqui que a corrente base aumentou muito além do ponto em que a junção emissor-base está polarizada para frente. Na verdade, a corrente de base aumentou além do ponto em que pode fazer com que o fluxo da corrente do coletor aumente.

Qual é a condição para um NMOS estar em saturação?

O MOSFET está em saturação quando V (GS)> V (TH) e V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Se eu aumentar lentamente a tensão da porta começando de 0, o MOSFET permanece desligado. O LED começa a conduzir uma pequena quantidade de corrente quando a tensão da porta está em torno de 2,5 V ou mais.

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