Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.ⓘ Largura do Canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.ⓘ Comprimento do Canal [L]			+10% -10%
✖A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.ⓘ Tensão da fonte do portão [V_gs]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%

✖A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS [I_d]

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Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
Esta fórmula usa 6 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão da fonte do portão - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão da fonte do portão: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

Avaliando ... ...

I_d = 0.239701333333333

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

239.701333333333 ≈ 239.7013 Miliamperes <-- Drenar corrente em NMOS

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

LaTeX Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

NMOS como resistência linear

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Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

LaTeX Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula

LaTeX Vai

O que é região de saturação?

A segunda região é chamada de “saturação”. É aqui que a corrente base aumentou muito além do ponto em que a junção emissor-base está polarizada para frente. Na verdade, a corrente de base aumentou além do ponto em que pode fazer com que o fluxo da corrente do coletor aumente.

Qual é a condição para um NMOS estar em saturação?

O MOSFET está em saturação quando V (GS)> V (TH) e V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Se eu aumentar lentamente a tensão da porta começando de 0, o MOSFET permanece desligado. O LED começa a conduzir uma pequena quantidade de corrente quando a tensão da porta está em torno de 2,5 V ou mais.

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