Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.ⓘ Largura do Canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.ⓘ Comprimento do Canal [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.ⓘ Tensão da Fonte de Dreno [V_ds]			+10% -10%

✖A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS [I_d]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão da Fonte de Dreno - (Medido em Volt) - Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão da Fonte de Dreno: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Avaliando ... ...

I_d = 0.236883

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.236883 Ampere -->236.883 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

236.883 Miliamperes <-- Drenar corrente em NMOS

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Aprimoramento do Canal N » Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

LaTeX Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

NMOS como resistência linear

LaTeX Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

LaTeX Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Fórmula

LaTeX Vai

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2

O que é NMOS?

NMOS (MOSFET) é um tipo de MOSFET. Um transistor NMOS consiste em uma fonte e dreno do tipo n e um substrato do tipo p. Quando uma voltagem é aplicada ao portão, orifícios no corpo (substrato tipo p) são afastados do portão. Isso permite a formação de um canal do tipo n entre a fonte e o dreno, e uma corrente é conduzida dos elétrons da fonte para o dreno através de um canal do tipo n induzido. Diz-se que portas lógicas e outros dispositivos digitais implementados usando NMOSs têm lógica NMOS. Existem três modos de operação em um NMOS, chamados de corte, triodo e saturação. A lógica NMOS é fácil de projetar e fabricar. Os circuitos com portas lógicas NMOS, entretanto, consomem energia estática quando o circuito está ocioso, pois a corrente CC flui pela porta lógica quando a saída é baixa.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!