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Fabricação de IC MOS
Fabricação de CI bipolar
Gatilho Schmitt
✖
Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.
ⓘ
Constante Dependente do Processo [k
1
]
+10%
-10%
✖
Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
ⓘ
Comprimento de onda em fotolitografia [λ
l
]
Angstrom
Centímetro
Decâmetro
Decímetro
Comprimento de onda Compton de elétrons
Hectômetro
Metro
Micrômetro
Milímetro
Nanômetro
Comprimento de onda Compton de neutrons
Protão Compton Comprimento de onda
+10%
-10%
✖
A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.
ⓘ
Abertura numerica [NA]
+10%
-10%
✖
A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.
ⓘ
Dimensão crítica [CD]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidade astronômica
Atômetro
UA de Comprimento
Barleycorn
Ano Billion Light
Bohr Radius
Cabo (Internacional)
Cabo (Reino Unido)
Cabo (Estados Unidos)
Calibre
Centímetro
Chain
Cubit (grego)
Cúbito (Longo)
Cubit (Reino Unido)
Decâmetro
Decímetro
Distância da Terra à Lua
Distância da Terra ao Sol
Raio Equatorial da Terra
Raio Polar da Terra
Electron Radius (Classical)
Ell
Exame
Famn
braça
Femtometer
Fermi
Finger (pano)
Fingerbreadth
Pé
Pé (Estados Unidos Survey)
Furlong
Gigametro
Mão
Handbreadth
Hectômetro
Polegada
Ken
Quilômetro
Kiloparsec
Quiloyard
League
Liga (Estatuto)
Ano luz
Ligação
Megametro
Megaparsec
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Mil
Milha
Mile (romano)
Mile (Estados Unidos Survey)
Milímetro
Ano Million Light
Prego (pano)
Nanômetro
Liga Náutica (int)
Liga Náutica Reino Unido
Milhas náuticas (Internacional)
Milha náutica (Reino Unido)
Parsec
Poleiro
Petameter
Pica
picômetro
Planck Comprimento
Ponto
Pólo
Trimestre
Reed
Junco (longo)
Rod
Roman Actus
Corda
Russian Archin
Span (pano)
Raio do Sol
Terâmetro
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Jarda
Yoctometer
Yottameter
Zeptômetro
Zettameter
⎘ Cópia De
Degraus
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Fórmula
✖
Dimensão crítica
Fórmula
CD
=
k
1
⋅
λ
l
NA
Exemplo
485.1883 nm
=
1.56
⋅
223 nm
0.717
Calculadora
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Dimensão crítica Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Dimensão crítica
=
Constante Dependente do Processo
*
Comprimento de onda em fotolitografia
/
Abertura numerica
CD
=
k
1
*
λ
l
/
NA
Esta fórmula usa
4
Variáveis
Variáveis Usadas
Dimensão crítica
-
(Medido em Metro)
- A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.
Constante Dependente do Processo
- Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.
Comprimento de onda em fotolitografia
-
(Medido em Metro)
- Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
Abertura numerica
- A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Constante Dependente do Processo:
1.56 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento de onda em fotolitografia:
223 Nanômetro --> 2.23E-07 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Abertura numerica:
0.717 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
CD = k
1
*λ
l
/NA -->
1.56*2.23E-07/0.717
Avaliando ... ...
CD
= 4.85188284518829E-07
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 Nanômetro
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
485.188284518829
≈
485.1883 Nanômetro
<--
Dimensão crítica
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Fabricação de IC MOS
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Dimensão crítica
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
5 Fabricação de IC MOS Calculadoras
Efeito Corporal no MOSFET
Vai
Tensão Limite com Substrato
=
Tensão limite com polarização corporal zero
+
Parâmetro de efeito corporal
*(
sqrt
(2*
Potencial de Fermi em massa
+
Tensão aplicada ao corpo
)-
sqrt
(2*
Potencial de Fermi em massa
))
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
Vai
Corrente de drenagem
=
Parâmetro de Transcondutância
/2*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão limite com polarização corporal zero
)^2*(1+
Fator de modulação de comprimento de canal
*
Tensão da fonte de drenagem
)
Tempo de propagação
Vai
Tempo de propagação
= 0.7*
Número de transistores de passagem
*((
Número de transistores de passagem
+1)/2)*
Resistência em MOSFET
*
Capacitância de Carga
Resistência do Canal
Vai
Resistência do Canal
=
Comprimento do transistor
/
Largura do transistor
*1/(
Mobilidade Eletrônica
*
Densidade de portadora
)
Frequência de ganho unitário MOSFET
Vai
Frequência de ganho unitário em MOSFET
=
Transcondutância em MOSFET
/(
Capacitância da Fonte da Porta
+
Capacitância de drenagem do portão
)
Dimensão crítica Fórmula
Dimensão crítica
=
Constante Dependente do Processo
*
Comprimento de onda em fotolitografia
/
Abertura numerica
CD
=
k
1
*
λ
l
/
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