Dimensão crítica Calculadora

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Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.ⓘ Constante Dependente do Processo [k₁]			+10% -10%
✖Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.ⓘ Comprimento de onda em fotolitografia [λ_l]			+10% -10%
✖A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.ⓘ Abertura numerica [NA]			+10% -10%

✖A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.ⓘ Dimensão crítica [CD]

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Dimensão crítica Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica
CD = k₁*λ_l/NA
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Dimensão crítica - (Medido em Metro) - A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.
Constante Dependente do Processo - Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.
Comprimento de onda em fotolitografia - (Medido em Metro) - Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
Abertura numerica - A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Constante Dependente do Processo: 1.56 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento de onda em fotolitografia: 223 Nanômetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique a conversão aqui)
Abertura numerica: 0.717 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Avaliando ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 Nanômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanômetro <-- Dimensão crítica

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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