Diferença potencial de contato Calculadora

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✖A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.ⓘ Temperatura absoluta [T]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.ⓘ Concentração de Doadores [N_D]			+10% -10%
✖Concentração de Portadora Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga, tanto majoritários quanto minoritários, de um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.ⓘ Concentração Intrínseca de Portadores [n1_i]			+10% -10%

✖A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.ⓘ Diferença potencial de contato [V₀]

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Diferença potencial de contato Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão na junção PN = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Portadores)^2)
V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 5 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Tensão na junção PN - (Medido em Volt) - A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Concentração Intrínseca de Portadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração de Portadora Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga, tanto majoritários quanto minoritários, de um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1E+22 1 por metro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Doadores: 1E+24 1 por metro cúbico --> 1E+24 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Portadores: 1E+19 1 por metro cúbico --> 1E+19 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2) --> ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)

Avaliando ... ...

V₀ = 0.623836767969216

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.623836767969216 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.623836767969216 ≈ 0.623837 Volt <-- Tensão na junção PN

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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