Condutividade do tipo P Calculadora

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Fabricação de CI bipolar Fabricação de IC MOS Gatilho Schmitt

✖Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.ⓘ Cobrar [q]			+10% -10%
✖A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.ⓘ Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração Intrínseca [n_i]			+10% -10%
✖A concentração de equilíbrio dos elétrons do tipo P são os portadores minoritários e as lacunas são os portadores majoritários.ⓘ Concentração de equilíbrio do tipo P [N_a]			+10% -10%
✖Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.ⓘ Dopagem de furos Mobilidade de silício [μ_p]			+10% -10%

✖A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.ⓘ Condutividade do tipo P [σ]

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Condutividade do tipo P Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)
σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a)
Esta fórmula usa 6 Variáveis

Variáveis Usadas

Condutividade Ohmica - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de equilíbrio do tipo P - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de equilíbrio dos elétrons do tipo P são os portadores minoritários e as lacunas são os portadores majoritários.
Dopagem de furos Mobilidade de silício - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica: 0.38 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 3.8E-05 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)
Concentração Intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração de equilíbrio do tipo P: 7.1 1 por centímetro cúbico --> 7100000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Dopagem de furos Mobilidade de silício: 2.4 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.00024 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

σ = q*(μ_n*(n_i^2/N_a)+μ_p*N_a) --> 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000)

Avaliando ... ...

σ = 8.5666276056338

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

8.5666276056338 Siemens/Metro -->0.085666276056338 Mho/Centímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.085666276056338 ≈ 0.085666 Mho/Centímetro <-- Condutividade Ohmica

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore

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Condutividade do Tipo N

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade ôhmica da impureza

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Impureza com Concentração Intrínseca

LaTeX Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Tensão de ruptura do emissor coletor

LaTeX Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

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