Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Variáveis Usadas
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade de semicondutores extrínsecos (tipo n) é a medida da facilidade com que uma carga elétrica ou calor pode passar através de um material semicondutor extrínseco do tipo n.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração doadora é a concentração de elétrons no estado doador.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Doadores: 2E+17 1 por metro cúbico --> 2E+17 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Mobilidade do Elétron: 180 Metro quadrado por volt por segundo --> 180 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Avaliando ... ...
σn = 5.767835832
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.767835832 Siemens/Metro --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.767835832 5.767836 Siemens/Metro <-- Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n)
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Equipe Softusvista
Escritório Softusvista (Pune), Índia
Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ LaTeX ​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Comprimento de difusão de elétrons
​ LaTeX ​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ LaTeX ​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Mobilidade de Portadores de Carga
​ LaTeX ​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N Fórmula

​LaTeX ​Vai
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
σn = Nd*[Charge-e]*μn

O que são semicondutores extrínsecos?

Semicondutores extrínsecos são apenas semicondutores intrínsecos que foram dopados com átomos de impureza (defeitos substitucionais unidimensionais neste caso). Dopagem é o processo em que semicondutores aumentam sua condutividade elétrica, introduzindo átomos de diferentes elementos em sua rede.

O que é semicondutor extrínseco tipo n?

Um semicondutor do tipo n é criado quando semicondutores puros, como Si e Ge, são dopados com elementos pentavalentes. quando um semicondutor é dopado com um átomo pentavalente, os elétrons são os principais portadores de carga. Por outro lado, os buracos são os portadores de encargos minoritários. Portanto, esses semicondutores extrínsecos são chamados de semicondutores do tipo n. Em um semicondutor tipo n, número de elétrons livres >> número de lacunas

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!