Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos
σp = Na*[Charge-e]*μp
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Variáveis Usadas
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade de semicondutores extrínsecos (tipo p) é a medida da facilidade com que uma carga elétrica ou calor pode passar através de um material semicondutor extrínseco do tipo p.
Concentração do Aceitador - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do aceitador é a concentração de lacunas no estado do aceitador.
Mobilidade de Buracos - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - Mobilidade de buracos é a capacidade de um buraco se mover através de um metal ou semicondutor, na presença de um campo elétrico aplicado.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração do Aceitador: 1E+16 1 por metro cúbico --> 1E+16 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Mobilidade de Buracos: 150 Metro quadrado por volt por segundo --> 150 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
σp = Na*[Charge-e]*μp --> 1E+16*[Charge-e]*150
Avaliando ... ...
σp = 0.240326493
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.240326493 Siemens/Metro --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.240326493 0.240326 Siemens/Metro <-- Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p)
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores
​ LaTeX ​ Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)
Comprimento de difusão de elétrons
​ LaTeX ​ Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)
Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos
​ LaTeX ​ Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
Mobilidade de Portadores de Carga
​ LaTeX ​ Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do campo elétrico

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P Fórmula

​LaTeX ​Vai
Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos
σp = Na*[Charge-e]*μp

Explique a condutividade em semicondutores.

Semicondutores são condutores elétricos semi-bons porque, embora sua banda de valência esteja completamente preenchida, a lacuna de energia entre a banda de valência e a banda de condução não é muito grande. Conseqüentemente, alguns elétrons podem fazer uma ponte para se tornarem portadores de carga. A diferença entre semicondutores e um isolante é a magnitude da lacuna de energia. Para semicondutores, por exemplo, <2eV e para isoladores, por exemplo,> 2eV. É bem conhecido que a condutividade de um semicondutor depende da concentração de elétrons livres nele

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