Condutância do Canal de MOSFETs Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Condutância do Canal - (Medido em Siemens) - A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele.
Mobilidade de elétrons na superfície do canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou viajarem através da superfície de um material semicondutor, como um canal de silício em um transistor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
Tensão através do Óxido - (Medido em Volt) - Tensão através do óxido devido à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade de elétrons na superfície do canal: 38 Metro quadrado por volt por segundo --> 38 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão através do Óxido: 5.4 Volt --> 5.4 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4
Avaliando ... ...
G = 0.0192888
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0192888 Siemens -->19.2888 Millisiemens (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
19.2888 Millisiemens <-- Condutância do Canal
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ LaTeX ​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Condutância do Canal de MOSFETs Fórmula

​LaTeX ​Vai
Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox

Qual é a fórmula da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é um teste chave para validar o desempenho do MOSFET em projetos de eletrônica de potência. Ele garante que um MOSFET esteja funcionando corretamente e ajuda os engenheiros a escolher o melhor quando o ganho de tensão é uma especificação chave para seus projetos de circuito.

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