✖A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou viajarem através da superfície de um material semicondutor, como um canal de silício em um transistor.ⓘ Mobilidade de elétrons na superfície do canal [μs] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [Cox] | | | +10% -10% |
✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura de banda [Wc] | | | +10% -10% |
✖O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Comprimento do canal [L] | | | +10% -10% |
✖Tensão através do óxido devido à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do Óxido [Vox] | | | +10% -10% |