Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Np = npo*e^(VBE/Vt)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis
Constantes Usadas
e - Constante de Napier Valor considerado como 2.71828182845904523536028747135266249
Variáveis Usadas
Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de e- injetado do emissor para a base é o número de elétrons passados do emissor para a base.
Concentração de Equilíbrio Térmico - (Medido em 1 por metro cúbico) - A Concentração de Equilíbrio Térmico é definida como a concentração de portadores em um amplificador.
Tensão Base-Emissor - (Medido em Volt) - A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão Térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Equilíbrio Térmico: 1E+18 1 por metro cúbico --> 1E+18 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Tensão Base-Emissor: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Térmica: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Np = npo*e^(VBE/Vt) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)
Avaliando ... ...
Np = 2.99140949952878E+18
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.99140949952878E+18 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.99140949952878E+18 3E+18 1 por metro cúbico <-- Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT
​ LaTeX ​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
Capacitância de difusão de pequenos sinais
​ LaTeX ​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância
Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT
​ LaTeX ​ Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Capacitância da Junção Base-Emissor
​ LaTeX ​ Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base Fórmula

​LaTeX ​Vai
Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Np = npo*e^(VBE/Vt)

Como as operadoras de carga minoritária são distribuídas no BJT?

A operação física do BJT pode ser aprimorada considerando a distribuição de portadores de carga minoritários na base e no emissor. Os perfis de concentração de elétrons na base e lacunas no emissor de um transistor NPN operando no modo ativo. Observe que, como a concentração de dopagem no emissor, ND, é muito maior do que a concentração de dopagem na base, NA, a concentração de elétrons injetados do emissor para a base, n

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