A temperatura tem um impacto significativo na corrente de saturação reversa e na tensão de barreira em transistores de filme fino. Um aumento na temperatura normalmente resulta em um aumento na corrente de saturação reversa e uma diminuição na tensão de barreira. Isto ocorre porque temperaturas mais altas levam ao aumento da energia cinética do gás, o que pode facilitar a injeção de portadores de carga na região de depleção do transistor.