Resistência do Canal Calculadora

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✖O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do transistor [L_t]			+10% -10%
✖A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Largura do transistor [W_t]			+10% -10%
✖A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖Densidade de portadora refere-se ao número de portadores de carga (elétrons ou lacunas) presentes no canal semicondutor.ⓘ Densidade de portadora [Q_on]			+10% -10%

✖A resistência do canal refere-se à resistência oferecida pelo material semicondutor no canal através do qual a corrente flui entre os terminais fonte e dreno.ⓘ Resistência do Canal [R_ch]

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Resistência do Canal Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Resistência do Canal - (Medido em Ohm) - A resistência do canal refere-se à resistência oferecida pelo material semicondutor no canal através do qual a corrente flui entre os terminais fonte e dreno.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Densidade de portadora - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - Densidade de portadora refere-se ao número de portadores de carga (elétrons ou lacunas) presentes no canal semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Densidade de portadora: 0.0056 Elétrons por metro cúbico --> 0.0056 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Avaliando ... ...

R_ch = 3.46320346320346

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.46320346320346 Ohm --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Resistência do Canal

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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