Como é derivado o modelo de canal longo?
O modelo de canal longo é derivado relacionando a corrente e a tensão (IV) para um transistor nMOS em cada uma das regiões de corte ou sublimiar, linear e de saturação. O modelo assume que o comprimento do canal é longo o suficiente para que o campo elétrico lateral (o campo entre a fonte e o dreno) seja relativamente baixo, o que não é mais o caso em dispositivos nanométricos. Esse modelo é conhecido como modelo de canal longo, ideal, de primeira ordem ou Shockley.