Capacitância Celular Calculadora

✖Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.ⓘ Capacitância de bits [C_bit]			+10% -10%
✖Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.ⓘ Oscilação de tensão no Bitline [ΔV]			+10% -10%
✖A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.ⓘ Tensão Positiva [V_dd]			+10% -10%

✖Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.ⓘ Capacitância Celular [C_cell]

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Capacitância Celular Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância Celular = (Capacitância de bits*2*Oscilação de tensão no Bitline)/(Tensão Positiva-(Oscilação de tensão no Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância Celular - (Medido em Farad) - Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.
Capacitância de bits - (Medido em Farad) - Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.
Oscilação de tensão no Bitline - (Medido em Volt) - Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.
Tensão Positiva - (Medido em Volt) - A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de bits: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Verifique a conversão aqui)
Oscilação de tensão no Bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Avaliando ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 Picofarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

5.97655172413793 ≈ 5.976552 Picofarad <-- Capacitância Celular

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Atraso 'XOR'

LaTeX Vai Atraso XOR = Tempo de ondulação-(Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR)

Capacitância de Terra

LaTeX Vai Capacitância de Terra = ((Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/Tensão da Vítima)-Capacitância Adjacente

Carry-Ripple Adder Critical Path Delay

LaTeX Vai Tempo de ondulação = Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR

Adicionador Carry-Skip de N-Bit

LaTeX Vai Adicionador de salto de transporte de N bits = Entrada N E Porta*Entrada K E Porta

Ver mais >>

Capacitância Celular Fórmula

LaTeX Vai

Capacitância Celular = (Capacitância de bits*2*Oscilação de tensão no Bitline)/(Tensão Positiva-(Oscilação de tensão no Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

Como as várias capacitâncias variam em RAM dinâmica ou DRAM?

O capacitor DRAM Ccell deve ser o mais pequeno fisicamente possível para atingir uma boa densidade. No entanto, a linha de bits é contatada com muitas células DRAM e possui uma capacitância Cbit relativamente grande. Portanto, a capacitância da célula é tipicamente muito menor que a capacitância da linha de bits. uma capacitância de célula grande é importante para fornecer uma oscilação de tensão razoável. Também é necessário reter o conteúdo da célula por um tempo aceitável e minimizar erros de software.

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