Calculadora A a Z
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Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Calculadora
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de fonte em um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte [ΔL
s
]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
+10%
-10%
✖
Extensão lateral da região de esgotamento com dreno a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de dreno em um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno [ΔL
D
]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
+10%
-10%
✖
Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
ⓘ
Comprimento do canal [L]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
+10%
-10%
✖
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
ⓘ
Concentração do aceitante [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ⓘ
Potencial de Superfície [Φ
s
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
A densidade de carga da região de esgotamento em massa é definida como a carga elétrica por unidade de área associada à região de esgotamento na massa de um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI [Q
B0
]
Abcoulomb por metro quadrado
Coulomb por centímetro quadrado
Coulomb por polegada quadrada
Coulomb por metro quadrado
Microcoulomb por centímetro quadrado
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Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
2
Funções
,
6
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs
- O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
-
(Medido em Coulomb por metro quadrado)
- A densidade de carga da região de esgotamento em massa é definida como a carga elétrica por unidade de área associada à região de esgotamento na massa de um dispositivo semicondutor.
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
-
(Medido em Metro)
- Extensão lateral da região de esgotamento com fonte a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de fonte em um dispositivo semicondutor.
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
-
(Medido em Metro)
- Extensão lateral da região de esgotamento com dreno a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de dreno em um dispositivo semicondutor.
Comprimento do canal
-
(Medido em Metro)
- Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Concentração do aceitante
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície
-
(Medido em Volt)
- O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte:
0.1 Micrômetro --> 1E-07 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno:
0.2 Micrômetro --> 2E-07 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Comprimento do canal:
2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Concentração do aceitante:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Potencial de Superfície:
6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Q
B0
= -(1-((ΔL
s
+ΔL
D
)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N
A
*abs(2*Φ
s
)) -->
-(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*1E+22*
abs
(2*6.86))
Avaliando ... ...
Q
B0
= -0.00200557851391776
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
-0.00200557851391776 Coulomb por metro quadrado -->-0.200557851391776 Microcoulomb por centímetro quadrado
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
-0.200557851391776
≈
-0.200558 Microcoulomb por centímetro quadrado
<--
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)
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Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Coeficiente de Efeito Corporal
LaTeX
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Coeficiente DIBL
LaTeX
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
LaTeX
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Crítica
LaTeX
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
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Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Fórmula
LaTeX
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
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