Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
QB0 = -(1-((ΔLs+ΔLD)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 2 Funções, 6 Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs - O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Densidade de carga da região de esgotamento em massa - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A densidade de carga da região de esgotamento em massa é definida como a carga elétrica por unidade de área associada à região de esgotamento na massa de um dispositivo semicondutor.
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte - (Medido em Metro) - Extensão lateral da região de esgotamento com fonte a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de fonte em um dispositivo semicondutor.
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno - (Medido em Metro) - Extensão lateral da região de esgotamento com dreno a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de dreno em um dispositivo semicondutor.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte: 0.1 Micrômetro --> 1E-07 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno: 0.2 Micrômetro --> 2E-07 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Potencial de Superfície: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
QB0 = -(1-((ΔLs+ΔLD)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs)) --> -(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))
Avaliando ... ...
QB0 = -0.00200557851391776
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
-0.00200557851391776 Coulomb por metro quadrado -->-0.200557851391776 Microcoulomb por centímetro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
-0.200557851391776 -0.200558 Microcoulomb por centímetro quadrado <-- Densidade de carga da região de esgotamento em massa
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ LaTeX ​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ LaTeX ​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Fórmula

​LaTeX ​Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
QB0 = -(1-((ΔLs+ΔLD)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!