Potencial integrado na região de esgotamento Calculadora

✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.ⓘ Potencial de Fermi em massa [Φ_f]			+10% -10%

✖A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.ⓘ Potencial integrado na região de esgotamento [Φ_B0]

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Fórmula

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Potencial integrado na região de esgotamento

Fórmula

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Exemplo

-1.6E-6 V = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32 electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25 V)})

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Potencial integrado na região de esgotamento Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão embutida = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa)))
Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f)))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Tensão embutida - (Medido em Volt) - A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f))) --> -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25)))

Avaliando ... ...

Φ_B0 = -1.57302306783086E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

-1.57302306783086E-06 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

-1.57302306783086E-06 ≈ -1.6E-6 Volt <-- Tensão embutida

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

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Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)

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Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

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