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Potencial integrado na região de esgotamento Calculadora
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Aprimoramento do Canal P
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✖
A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ⓘ
Concentração de Dopagem do Aceitante [N
A
]
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
+10%
-10%
✖
Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
ⓘ
Potencial de Fermi em massa [Φ
f
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Potencial integrado na região de esgotamento [Φ
B0
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
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Degraus
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Fórmula
✖
Potencial integrado na região de esgotamento
Fórmula
Φ
B0
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
Φ
f
)
)
Exemplo
-1.6E-6 V
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
0.25 V
)
)
Calculadora
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Potencial integrado na região de esgotamento Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão embutida
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi em massa
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
2
Funções
,
3
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus
- O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus
Variáveis Usadas
Tensão embutida
-
(Medido em Volt)
- A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.
Concentração de Dopagem do Aceitante
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de Fermi em massa
-
(Medido em Volt)
- Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Dopagem do Aceitante:
1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Potencial de Fermi em massa:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Φ
B0
= -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(-2*Φ
f
))) -->
-(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(-2*0.25)))
Avaliando ... ...
Φ
B0
= -1.57302306783086E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
-1.57302306783086E-06 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
-1.57302306783086E-06
≈
-1.6E-6 Volt
<--
Tensão embutida
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Potencial integrado na região de esgotamento
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Potencial de Fermi para tipo P
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Ver mais >>
Potencial integrado na região de esgotamento Fórmula
Tensão embutida
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi em massa
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
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