Potencial embutido Calculadora

✖Tensão térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.ⓘ Tensão Térmica [V_t]			+10% -10%
✖A concentração do aceitador é a concentração de lacunas no estado aceitador.ⓘ Concentração do aceitante [N_a]			+10% -10%
✖A concentração do doador é a concentração de elétrons no estado doador.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%
✖A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração Intrínseca de Elétrons [n_i]			+10% -10%

✖O potencial integrado é o potencial dentro do MOSFET.ⓘ Potencial embutido [ψ_o]

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Potencial embutido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Potencial Integrado - (Medido em Volt) - O potencial integrado é o potencial dentro do MOSFET.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do aceitador é a concentração de lacunas no estado aceitador.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do doador é a concentração de elétrons no estado doador.
Concentração Intrínseca de Elétrons - A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Térmica: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1100 1 por metro cúbico --> 1100 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Doadores: 190000000000000 1 por metro cúbico --> 190000000000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Elétrons: 17 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Avaliando ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

18.8180761773197 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Potencial Integrado

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Potencial embutido

LaTeX Vai Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))

Capacitância Onpath

LaTeX Vai Capacitância no caminho = Capacitância Total no Estágio-Capacitância fora do caminho

Mudança no relógio de frequência

LaTeX Vai Mudança na frequência do relógio = Ganho de VCO*Tensão de controle VCO

Corrente Estática

LaTeX Vai Corrente Estática = Potência Estática/Tensão do Coletor Base

Ver mais >>

Potencial embutido Fórmula

LaTeX Vai

Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Em que princípio funciona o modelo de capacitância de difusão MOS?

Um transistor MOS pode ser visto como um dispositivo de quatro terminais com capacitâncias entre cada par de terminais. A capacitância da porta inclui um componente intrínseco (ao corpo, fonte e dreno, ou apenas fonte, dependendo do regime de operação) e sobrepõe termos com a fonte e o dreno. A fonte e o dreno têm capacitância de difusão parasita para o corpo.

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