Potencial integrado na região de esgotamento Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão embutida = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa)))
ΦB0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(-2*Φf)))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 2 Funções, 3 Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus
Variáveis Usadas
Tensão embutida - (Medido em Volt) - A tensão incorporada é uma tensão característica que existe em um dispositivo semicondutor.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΦB0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(-2*Φf))) --> -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25)))
Avaliando ... ...
ΦB0 = -1.57302306783086E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
-1.57302306783086E-06 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
-1.57302306783086E-06 -1.6E-6 Volt <-- Tensão embutida
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ LaTeX ​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ LaTeX ​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Potencial integrado na região de esgotamento Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão embutida = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa)))
ΦB0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(-2*Φf)))
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