Tensão de ruptura do emissor coletor Calculadora

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✖A tensão de ruptura da base do coletor é a tensão máxima entre os terminais do coletor e da base de um transistor de junção bipolar sem causar uma ruptura no transistor.ⓘ Tensão de ruptura da base do coletor [V_cb]			+10% -10%
✖O ganho de corrente do BJT é usado para descrever as propriedades de amplificação do transistor. Indica o quanto a corrente do coletor é amplificada em relação à corrente de base.ⓘ Ganho atual do BJT [i_g]			+10% -10%
✖Root Number representa uma constante ou um fator associado ao transistor.ⓘ Número raiz [n]			+10% -10%

✖A tensão de ruptura do coletor e emissor é a tensão entre os terminais coletor e emissor de um transistor de junção bipolar sem causar uma quebra no transistor.ⓘ Tensão de ruptura do emissor coletor [V_ce]

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Tensão de ruptura do emissor coletor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de ruptura do emissor do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura do coletor e emissor é a tensão entre os terminais coletor e emissor de um transistor de junção bipolar sem causar uma quebra no transistor.
Tensão de ruptura da base do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura da base do coletor é a tensão máxima entre os terminais do coletor e da base de um transistor de junção bipolar sem causar uma ruptura no transistor.
Ganho atual do BJT - (Medido em Volt) - O ganho de corrente do BJT é usado para descrever as propriedades de amplificação do transistor. Indica o quanto a corrente do coletor é amplificada em relação à corrente de base.
Número raiz - Root Number representa uma constante ou um fator associado ao transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de ruptura da base do coletor: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Nenhuma conversão necessária
Ganho atual do BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Nenhuma conversão necessária
Número raiz: 2 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Avaliando ... ...

V_ce = 2.10360235242853

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.10360235242853 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Tensão de ruptura do emissor do coletor

(Cálculo concluído em 00.007 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

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Condutividade do Tipo N

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade ôhmica da impureza

LaTeX Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Impureza com Concentração Intrínseca

LaTeX Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

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