Efeito Corporal no MOSFET Calculadora

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Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖Tensão limite com polarização zero do corpo refere-se à tensão limite quando não há polarização externa aplicada ao substrato semicondutor (terminal do corpo).ⓘ Tensão limite com polarização corporal zero [V_th]			+10% -10%
✖O parâmetro Body Effect é um parâmetro que caracteriza a sensibilidade da tensão limite do MOSFET.ⓘ Parâmetro de efeito corporal [γ]			+10% -10%
✖Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.ⓘ Potencial de Fermi em massa [Φ_f]			+10% -10%
✖Tensão aplicada ao corpo é a tensão aplicada ao terminal do corpo. Esta tensão pode ter um impacto significativo no comportamento e desempenho do MOSFET.ⓘ Tensão aplicada ao corpo [V_bs]			+10% -10%

✖A Tensão Limiar com Substrato é um parâmetro crucial que define o ponto em que o transistor começa a conduzir corrente da fonte para o dreno.ⓘ Efeito Corporal no MOSFET [V_t]

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Fórmula

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Efeito Corporal no MOSFET

Fórmula

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Exemplo

3.962586 V = 3.4 V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 V + 2.43 V} - \sqrt{2 \cdot 0.25 V})

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Efeito Corporal no MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Tensão Limite com Substrato - (Medido em Volt) - A Tensão Limiar com Substrato é um parâmetro crucial que define o ponto em que o transistor começa a conduzir corrente da fonte para o dreno.
Tensão limite com polarização corporal zero - (Medido em Volt) - Tensão limite com polarização zero do corpo refere-se à tensão limite quando não há polarização externa aplicada ao substrato semicondutor (terminal do corpo).
Parâmetro de efeito corporal - O parâmetro Body Effect é um parâmetro que caracteriza a sensibilidade da tensão limite do MOSFET.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
Tensão aplicada ao corpo - (Medido em Volt) - Tensão aplicada ao corpo é a tensão aplicada ao terminal do corpo. Esta tensão pode ter um impacto significativo no comportamento e desempenho do MOSFET.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão limite com polarização corporal zero: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Nenhuma conversão necessária
Parâmetro de efeito corporal: 0.56 --> Nenhuma conversão necessária
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão aplicada ao corpo: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Avaliando ... ...

V_t = 3.96258579757846

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.96258579757846 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Volt <-- Tensão Limite com Substrato

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

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