Capacitância de bits Calculadora

✖A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.ⓘ Tensão Positiva [V_dd]			+10% -10%
✖Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.ⓘ Capacitância Celular [C_cell]			+10% -10%
✖Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.ⓘ Oscilação de tensão no Bitline [ΔV]			+10% -10%

✖Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.ⓘ Capacitância de bits [C_bit]

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Capacitância de bits Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância de bits = ((Tensão Positiva*Capacitância Celular)/(2*Oscilação de tensão no Bitline))-Capacitância Celular
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância de bits - (Medido em Farad) - Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.
Tensão Positiva - (Medido em Volt) - A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.
Capacitância Celular - (Medido em Farad) - Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.
Oscilação de tensão no Bitline - (Medido em Volt) - Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nenhuma conversão necessária
Capacitância Celular: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Verifique a conversão aqui)
Oscilação de tensão no Bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell --> ((2.58*5.98E-12)/(2*0.42))-5.98E-12

Avaliando ... ...

C_bit = 1.23871428571429E-11

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.23871428571429E-11 Farad -->12.3871428571429 Picofarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

12.3871428571429 ≈ 12.38714 Picofarad <-- Capacitância de bits

(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Atraso 'XOR'

LaTeX Vai Atraso XOR = Tempo de ondulação-(Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR)

Capacitância de Terra

LaTeX Vai Capacitância de Terra = ((Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/Tensão da Vítima)-Capacitância Adjacente

Carry-Ripple Adder Critical Path Delay

LaTeX Vai Tempo de ondulação = Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR

Adicionador Carry-Skip de N-Bit

LaTeX Vai Adicionador de salto de transporte de N bits = Entrada N E Porta*Entrada K E Porta

Ver mais >>

Capacitância de bits Fórmula

LaTeX Vai

Capacitância de bits = ((Tensão Positiva*Capacitância Celular)/(2*Oscilação de tensão no Bitline))-Capacitância Celular
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell

Como as várias capacitâncias variam em RAM dinâmica ou DRAM?

A célula do capacitor DRAM deve ser tão pequena fisicamente quanto possível para atingir uma boa densidade. No entanto, a linha de bits está em contato com muitas células DRAM e possui um bit C de capacitância relativamente grande. Portanto, a capacitância da célula é normalmente muito menor que a capacitância da linha de bits. Uma grande capacitância de célula é importante para fornecer uma oscilação de tensão razoável. Também é necessário reter o conteúdo da célula por um tempo aceitável e minimizar erros de software.

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