Fator de transporte base dada a largura base Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Fator de Transporte Básico - O fator de transporte de base nos diz qual fração da corrente de elétrons injetada na base realmente chega à junção do coletor.
Largura Física - (Medido em Metro) - Largura Física refere-se à largura da região do canal entre os terminais de fonte e dreno. Esta largura de canal determina a capacidade de transporte de corrente do MOSFET.
Comprimento de difusão eletrônica - (Medido em Metro) - Comprimento de difusão de elétrons é um conceito usado na física de semicondutores para descrever a distância média que um elétron percorre antes de sofrer espalhamento ou recombinação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura Física: 1.532 Metro --> 1.532 Metro Nenhuma conversão necessária
Comprimento de difusão eletrônica: 1.2 Metro --> 1.2 Metro Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)
Avaliando ... ...
αT = 0.185061111111111
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.185061111111111 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.185061111111111 0.185061 <-- Fator de Transporte Básico
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Fator de transporte base dada a largura base Fórmula

​LaTeX ​Vai
Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
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