Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Calculadora

✖A concentração de doadores é a física dos semicondutores e refere-se ao número de átomos de impurezas doadoras por unidade de volume de um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%

✖O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins.ⓘ Parâmetro de efeito Backgate em PMOS [γ_p]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Fórmula

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Exemplo

0.029015 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9e20 /m³}}{0.0008 F}

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Parâmetro do Efeito Backgate - O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de doadores é a física dos semicondutores e refere-se ao número de átomos de impurezas doadoras por unidade de volume de um material semicondutor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Doadores: 1.9E+20 1 por metro cúbico --> 1.9E+20 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Avaliando ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0290154053183929 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Parâmetro do Efeito Backgate

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Aprimoramento do Canal P » Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

< Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Ver mais >>

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Fórmula

Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!