Concentração de dopante aceitante Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Circuitos Integrados (CI)Amplificadores Antena e propagação de ondas Comunicação digital Mais >>

⤿

Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do transistor [L_t]			+10% -10%
✖A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Largura do transistor [W_t]			+10% -10%
✖A Mobilidade do Buraco representa a capacidade desses portadores de carga de se moverem em resposta a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Buraco [μ_p]			+10% -10%
✖A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.ⓘ Capacitância da camada de esgotamento [C_dep]			+10% -10%

✖A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor.ⓘ Concentração de dopante aceitante [N_a]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Fabricação de IC MOS Fórmulas PDF PDF Image

Concentração de dopante aceitante Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 5 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Concentração de dopante aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Mobilidade do Buraco - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A Mobilidade do Buraco representa a capacidade desses portadores de carga de se moverem em resposta a um campo elétrico.
Capacitância da camada de esgotamento - (Medido em Farad) - A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade do Buraco: 400 Metro quadrado por volt por segundo --> 400 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da camada de esgotamento: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Avaliando ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.00788050957133E+32 Elétrons por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elétrons por metro cúbico <-- Concentração de dopante aceitante

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Circuitos Integrados (CI) » Fabricação de IC MOS » Concentração de dopante aceitante

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET

LaTeX Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Resistência do Canal

LaTeX Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

LaTeX Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Ver mais >>