Concentração do aceitante após Full Scaling VLSI Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.ⓘ Fator de escala [Sf]			+10% -10%

✖A concentração do aceitador após o dimensionamento total é definida como o número de átomos aceitadores dopados no material semicondutor após o dimensionamento total do dispositivo semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante após Full Scaling VLSI [N_A']

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Concentração do aceitante após Full Scaling VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração do aceitante após escala completa = Concentração do aceitante*Fator de escala
N_A' = N_A*Sf
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração do aceitante após escala completa - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do aceitador após o dimensionamento total é definida como o número de átomos aceitadores dopados no material semicondutor após o dimensionamento total do dispositivo semicondutor.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Fator de escala - O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Fator de escala: 1.5 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_A' = N_A*Sf --> 1E+22*1.5

Avaliando ... ...

N_A' = 1.5E+22

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.5E+22 1 por metro cúbico -->1.5E+16 1 por centímetro cúbico (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1.5E+16 1 por centímetro cúbico <-- Concentração do aceitante após escala completa

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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Concentração do aceitante após Full Scaling VLSI Fórmula

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Concentração do aceitante após escala completa = Concentração do aceitante*Fator de escala
N_A' = N_A*Sf

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