Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu Kalkulator

✖Gęstość domieszkowania ścian bocznych odnosi się do stężenia atomów domieszki wzdłuż ścian bocznych struktury tranzystora.ⓘ Gęstość domieszkowania ściany bocznej [N_A(sw)]			+10% -10%
✖Dopingowe stężenie dawcy odnosi się do stężenia atomów dawcy celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.ⓘ Stężenie dopingu dawcy [N_D]			+10% -10%
✖Wbudowany potencjał złączy ścian bocznych odnosi się do złączy utworzonych wzdłuż powierzchni pionowych lub ścian bocznych konstrukcji tranzystora.ⓘ Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych [Φ_osw]			+10% -10%

✖Potencjał złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu to potencjał wbudowany w złącze ściany bocznej niektórych struktur tranzystorowych.ⓘ Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu [C_j0sw]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze MOSFET Formuły PDF PDF Image

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Gęstość domieszkowania ściany bocznej*Stężenie dopingu dawcy)/(Gęstość domieszkowania ściany bocznej+Stężenie dopingu dawcy))*1/Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane stałe

[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej - (Mierzone w Farad) - Potencjał złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu to potencjał wbudowany w złącze ściany bocznej niektórych struktur tranzystorowych.
Gęstość domieszkowania ściany bocznej - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Gęstość domieszkowania ścian bocznych odnosi się do stężenia atomów domieszki wzdłuż ścian bocznych struktury tranzystora.
Stężenie dopingu dawcy - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Dopingowe stężenie dawcy odnosi się do stężenia atomów dawcy celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych - (Mierzone w Wolt) - Wbudowany potencjał złączy ścian bocznych odnosi się do złączy utworzonych wzdłuż powierzchni pionowych lub ścian bocznych konstrukcji tranzystora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Gęstość domieszkowania ściany bocznej: 0.35 Elektrony na metr sześcienny --> 0.35 Elektrony na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Stężenie dopingu dawcy: 3.01 Elektrony na centymetr sześcienny --> 3010000 Elektrony na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych: 3.2E-05 Wolt --> 3.2E-05 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Ocenianie ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.01249324812588E-07 Farad --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Farad <-- Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej

(Obliczenie zakończone za 00.009 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze MOSFET » Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Wzmacniacze MOSFET Kalkulatory

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu

LaTeX Iść Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Gęstość domieszkowania ściany bocznej*Stężenie dopingu dawcy)/(Gęstość domieszkowania ściany bocznej+Stężenie dopingu dawcy))*1/Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)

Pojemność złącza zerowego odchylenia

LaTeX Iść Pojemność złącza zerowego odchylenia = sqrt((Przepuszczalność krzemu*[Charge-e])/2*((Dopingujące stężenie akceptora*Stężenie dopingu dawcy)/(Dopingujące stężenie akceptora+Stężenie dopingu dawcy))*1/Wbudowany potencjał połączenia)

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu Formułę

LaTeX Iść

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!