Funkcja pracy w MOSFET-ie Kalkulator

✖Poziom próżni to teoretyczny poziom energii, który stanowi podstawę do zrozumienia poziomów energii w obszarach półprzewodnikowych i metalowych tranzystora MOSFET.ⓘ Poziom próżni [qχ]			+10% -10%
✖Poziom energii pasma przewodnictwa to pasmo energii w materiale półprzewodnikowym, w którym elektrony mogą się swobodnie poruszać i brać udział w przewodzeniu elektrycznym.ⓘ Poziom energii pasma przewodnictwa [E_c]			+10% -10%
✖Poziom Fermiego reprezentuje poziom energii, przy którym elektrony mają 50% prawdopodobieństwa zajętości w temperaturze zera absolutnego.ⓘ Poziom Fermiego [E_F]			+10% -10%

✖Funkcja pracy to energia potrzebna elektronowi do przejścia z poziomu Fermiego do wolnej przestrzeni.ⓘ Funkcja pracy w MOSFET-ie [qΦ_S]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Funkcja pracy w MOSFET-ie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Funkcja pracy = Poziom próżni+(Poziom energii pasma przewodnictwa-Poziom Fermiego)
qΦ_S = qχ+(E_c-E_F)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Funkcja pracy - (Mierzone w Wolt) - Funkcja pracy to energia potrzebna elektronowi do przejścia z poziomu Fermiego do wolnej przestrzeni.
Poziom próżni - (Mierzone w Dżul) - Poziom próżni to teoretyczny poziom energii, który stanowi podstawę do zrozumienia poziomów energii w obszarach półprzewodnikowych i metalowych tranzystora MOSFET.
Poziom energii pasma przewodnictwa - (Mierzone w Dżul) - Poziom energii pasma przewodnictwa to pasmo energii w materiale półprzewodnikowym, w którym elektrony mogą się swobodnie poruszać i brać udział w przewodzeniu elektrycznym.
Poziom Fermiego - (Mierzone w Dżul) - Poziom Fermiego reprezentuje poziom energii, przy którym elektrony mają 50% prawdopodobieństwa zajętości w temperaturze zera absolutnego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Poziom próżni: 5.1 Elektron-wolt --> 8.17110438300004E-19 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)
Poziom energii pasma przewodnictwa: 3.01 Elektron-wolt --> 4.82255376330002E-19 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)
Poziom Fermiego: 5.24 Elektron-wolt --> 8.39540920920004E-19 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

qΦ_S = qχ+(E_c-E_F) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)

Ocenianie ... ...

qΦ_S = 4.59824893710002E-19

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.59824893710002E-19 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.59824893710002E-19 ≈ 4.6E-19 Wolt <-- Funkcja pracy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Funkcja pracy w MOSFET-ie

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>