Szerokość dyfuzji źródła Kalkulator

✖Obszar dyfuzji źródła definiuje się jako ruch netto czegokolwiek z obszaru o wyższym stężeniu do obszaru o niższym stężeniu w bramie źródłowej.ⓘ Obszar dyfuzji źródła [A_s]			+10% -10%
✖Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.ⓘ Długość źródła [D_s]			+10% -10%

✖Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.ⓘ Szerokość dyfuzji źródła [W]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF PDF Image

Szerokość dyfuzji źródła Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła
W = A_s/D_s
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Szerokość przejścia - (Mierzone w Metr) - Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.
Obszar dyfuzji źródła - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Obszar dyfuzji źródła definiuje się jako ruch netto czegokolwiek z obszaru o wyższym stężeniu do obszaru o niższym stężeniu w bramie źródłowej.
Długość źródła - (Mierzone w Metr) - Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Obszar dyfuzji źródła: 5479 Milimetr Kwadratowy --> 0.005479 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość źródła: 61 Milimetr --> 0.061 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

Ocenianie ... ...

W = 0.0898196721311476

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0898196721311476 Metr -->89.8196721311476 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

89.8196721311476 ≈ 89.81967 Milimetr <-- Szerokość przejścia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Szerokość dyfuzji źródła

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS

LaTeX Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Krytyczne napięcie CMOS

LaTeX Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość dyfuzji źródła

LaTeX Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

LaTeX Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Zobacz więcej >>

Szerokość dyfuzji źródła Formułę

LaTeX Iść

Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła
W = A_s/D_s

Jakie są zastosowania dyfuzji źródeł?

Rozproszenie źródła jest krytycznym procesem w technologii CMOS i ma wiele zastosowań. Służy do zmniejszania wymiarów tranzystorów, poprawy wydajności kolejnych obwodów i zwiększenia ogólnej szybkości chipów. Co więcej, dyfuzja źródła ułatwia integrację wielu tranzystorów w jednym chipie, umożliwiając wytwarzanie złożonych układów scalonych o dużej gęstości.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!