Szerokość strefy wyczerpania Kalkulator

✖Gęstość domieszkowania odnosi się do stężenia atomów domieszki w materiale półprzewodnikowym. Domieszki to atomy zanieczyszczeń celowo wprowadzone do półprzewodnika.ⓘ Gęstość dopingu [N_d]			+10% -10%
✖Bariera potencjału Schottky'ego działa jak bariera dla elektronów, a wysokość bariery zależy od różnicy funkcji pracy obu materiałów.ⓘ Bariera potencjału Schottky’ego [V_i]			+10% -10%
✖Napięcie bramki to napięcie powstające na złączu źródła bramki tranzystora JFET.ⓘ Napięcie bramki [V_g]			+10% -10%

✖Szerokość obszaru wyczerpania to obszar w urządzeniu półprzewodnikowym, w którym nie ma wolnych nośników ładunku.ⓘ Szerokość strefy wyczerpania [x_depl]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Rurki i obwody mikrofalowe Formułę PDF PDF Image

Szerokość strefy wyczerpania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Szerokość obszaru wyczerpania = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Gęstość dopingu))*(Bariera potencjału Schottky’ego-Napięcie bramki))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane stałe

[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Szerokość obszaru wyczerpania - (Mierzone w Metr) - Szerokość obszaru wyczerpania to obszar w urządzeniu półprzewodnikowym, w którym nie ma wolnych nośników ładunku.
Gęstość dopingu - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Gęstość domieszkowania odnosi się do stężenia atomów domieszki w materiale półprzewodnikowym. Domieszki to atomy zanieczyszczeń celowo wprowadzone do półprzewodnika.
Bariera potencjału Schottky’ego - (Mierzone w Wolt) - Bariera potencjału Schottky'ego działa jak bariera dla elektronów, a wysokość bariery zależy od różnicy funkcji pracy obu materiałów.
Napięcie bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramki to napięcie powstające na złączu źródła bramki tranzystora JFET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Gęstość dopingu: 9E+22 1 na centymetr sześcienny --> 9E+28 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Bariera potencjału Schottky’ego: 15.9 Wolt --> 15.9 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie bramki: 0.25 Wolt --> 0.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Ocenianie ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000159363423174517 Metr --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 Metr <-- Szerokość obszaru wyczerpania

(Obliczenie zakończone za 00.010 sekund)

Jesteś tutaj -