Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia Kalkulator

✖Prąd przewodzenia (IGBT) to maksymalny prąd, jaki może przepływać przez urządzenie po jego włączeniu.ⓘ Prąd przewodzenia (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖Rezystancja kanału N (IGBT) to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.ⓘ Rezystancja kanału N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖Odporność na dryft (IGBT) to obszar dryfu N materiału półprzewodnikowego w urządzeniu. Obszar dryfu N to gruby domieszkowany krzem, który oddziela kolektor od obszaru zasady P.ⓘ Odporność na dryf (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖Napięcie Pn na złączu 1 (IGBT) jest spowodowane barierą potencjału istniejącą na złączu. Ta potencjalna bariera jest tworzona przez dyfuzję nośników ładunku przez złącze.ⓘ Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖Stopień włączenia spadku napięcia (IGBT) to różnica napięcia między zaciskami kolektora i emitera, gdy IGBT jest włączony. Jest to materiał półprzewodnikowy w urządzeniu.ⓘ Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia [V_ON(igbt)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zaawansowane urządzenia tranzystorowe Formuły PDF PDF Image

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Spadek napięcia na stopniu ON (IGBT) = Prąd przewodzenia (IGBT)*Rezystancja kanału N (IGBT)+Prąd przewodzenia (IGBT)*Odporność na dryf (IGBT)+Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Spadek napięcia na stopniu ON (IGBT) - (Mierzone w Wolt) - Stopień włączenia spadku napięcia (IGBT) to różnica napięcia między zaciskami kolektora i emitera, gdy IGBT jest włączony. Jest to materiał półprzewodnikowy w urządzeniu.
Prąd przewodzenia (IGBT) - (Mierzone w Amper) - Prąd przewodzenia (IGBT) to maksymalny prąd, jaki może przepływać przez urządzenie po jego włączeniu.
Rezystancja kanału N (IGBT) - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału N (IGBT) to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.
Odporność na dryf (IGBT) - (Mierzone w Om) - Odporność na dryft (IGBT) to obszar dryfu N materiału półprzewodnikowego w urządzeniu. Obszar dryfu N to gruby domieszkowany krzem, który oddziela kolektor od obszaru zasady P.
Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT) - (Mierzone w Wolt) - Napięcie Pn na złączu 1 (IGBT) jest spowodowane barierą potencjału istniejącą na złączu. Ta potencjalna bariera jest tworzona przez dyfuzję nośników ładunku przez złącze.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd przewodzenia (IGBT): 1.69 Miliamper --> 0.00169 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja kanału N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na dryf (IGBT): 0.98 Kilohm --> 980 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT): 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Ocenianie ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

20.2533 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

20.2533 Wolt <-- Spadek napięcia na stopniu ON (IGBT)

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » IGBT » Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< IGBT Kalkulatory

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

LaTeX Iść Spadek napięcia na stopniu ON (IGBT) = Prąd przewodzenia (IGBT)*Rezystancja kanału N (IGBT)+Prąd przewodzenia (IGBT)*Odporność na dryf (IGBT)+Napięcie Pn Złącze 1 (IGBT)

Czas wyłączenia IGBT

LaTeX Iść Czas wyłączenia (IGBT) = Czas opóźnienia (IGBT)+Początkowy czas opadania (IGBT)+Ostateczny czas opadania (IGBT)

Pojemność wejściowa IGBT

LaTeX Iść Pojemność wejściowa (IGBT) = Pojemność bramki do emitera (IGBT)+Pojemność bramki do kolektora (IGBT)

Prąd emitera IGBT

LaTeX Iść Prąd emitera (IGBT) = Prąd otworu (IGBT)+Prąd elektroniczny (IGBT)

Zobacz więcej >>