Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie
Vgs = Vth+1.4*Veff
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Próg napięcia: 2.3 Wolt --> 2.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Efektywne napięcie: 1.7 Wolt --> 1.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vgs = Vth+1.4*Veff --> 2.3+1.4*1.7
Ocenianie ... ...
Vgs = 4.68
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
4.68 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
4.68 Wolt <-- Napięcie bramka-źródło
(Obliczenie zakończone za 00.006 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Anshika Arya
Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur
Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

Napięcie Kalkulatory

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
​ LaTeX ​ Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
​ LaTeX ​ Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania Formułę

​LaTeX ​Iść
Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie
Vgs = Vth+1.4*Veff

Co to jest różnicowe napięcie wejściowe?

Różnicowe napięcie wejściowe to maksymalne napięcie, które można podać na styki wejściowe (wejście nieodwracające) i -wejście (wejście odwracające) bez powodowania uszkodzeń lub pogorszenia charakterystyki układu scalonego.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!