Szerokość przejścia CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Szerokość przejścia = Pojemność nakładania się bramki MOS/Pojemność bramki MOS
W = Cmos/Cgs
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Szerokość przejścia - (Mierzone w Metr) - Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.
Pojemność nakładania się bramki MOS - (Mierzone w Farad) - Pojemność nakładania bramki MOS to pojemność wynikająca z konstrukcji samego urządzenia i zwykle związana z jego wewnętrznymi złączami PN.
Pojemność bramki MOS - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki MOS jest ważnym czynnikiem przy obliczaniu pojemności nakładania się bramki.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Pojemność nakładania się bramki MOS: 1.8 Mikrofarad --> 1.8E-06 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Pojemność bramki MOS: 20.04 Mikrofarad --> 2.004E-05 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Ocenianie ... ...
W = 0.0898203592814371
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.0898203592814371 Metr -->89.8203592814371 Milimetr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
89.8203592814371 89.82036 Milimetr <-- Szerokość przejścia
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS
​ LaTeX ​ Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne
Krytyczne napięcie CMOS
​ LaTeX ​ Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka
Szerokość dyfuzji źródła
​ LaTeX ​ Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła
Obszar dyfuzji źródła
​ LaTeX ​ Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Szerokość przejścia CMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Szerokość przejścia = Pojemność nakładania się bramki MOS/Pojemność bramki MOS
W = Cmos/Cgs

Jaka jest potrzeba dopingu w CMOS?

Domieszkowanie w technologii CMOS stosuje się w celu wprowadzenia zanieczyszczeń do materiału półprzewodnikowego w celu zmiany jego właściwości elektrycznych. Dodając domieszki można zwiększyć liczbę wolnych nośników ładunku (elektronów lub dziur), co pozwala na większą kontrolę nad zachowaniem elektrycznym urządzenia. Jest to niezbędne do tworzenia wysokowydajnych obwodów CMOS, które wykorzystują zarówno tranzystory typu n, jak i typu p.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!