Częstotliwość przejścia MOSFET Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Pojemność bramki źródłowej [C_sg]			+10% -10%
✖Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność bramowo-drenowa [C_gd]			+10% -10%

✖Częstotliwość przejścia to termin opisujący szybkość lub częstotliwość, z jaką następuje zmiana lub przejście z jednego stanu do drugiego.ⓘ Częstotliwość przejścia MOSFET [f_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Częstotliwość przejścia MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Częstotliwość przejścia - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość przejścia to termin opisujący szybkość lub częstotliwość, z jaką następuje zmiana lub przejście z jednego stanu do drugiego.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Pojemność bramki źródłowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).
Pojemność bramowo-drenowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramki źródłowej: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramowo-drenowa: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Ocenianie ... ...

f_t = 5.24917358482504

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.24917358482504 Herc --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Herc <-- Częstotliwość przejścia

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Częstotliwość przejścia MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Częstotliwość przejścia MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

LaTeX Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

LaTeX Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

LaTeX Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Zobacz więcej >>

< Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

LaTeX Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

LaTeX Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Zobacz więcej >>

Częstotliwość przejścia MOSFET Formułę

LaTeX Iść

Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Dlaczego MOSFET jest używany w aplikacjach o wysokiej częstotliwości?

Tranzystory MOSFET mogą działać przy wysokich częstotliwościach, mogą wykonywać aplikacje szybkiego przełączania z niewielkimi stratami przy wyłączaniu. W porównaniu z tranzystorem IGBT, tranzystor MOSFET mocy ma zalety większej szybkości komutacji i większej wydajności podczas pracy przy niskim napięciu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!