Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Odwrócona procentowa
Ułamek prosty
Kalkulator NWD
Czas przejścia tranzystora PNP Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Elektronika analogowa
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Wzmocnienie kanału P
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Więcej >>
✖
Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.
ⓘ
Szerokość podstawy [W
b
]
Angstrom
Jednostka astronomiczna
Centymetr
Decymetr
Promień równikowy Ziemi
Fermi
Stopa
Cal
Kilometr
Rok świetlny
Metr
Mikrocal
Mikrometr
Mikron
Mila
Milimetr
Nanometr
Picometr
Jard
+10%
-10%
✖
Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.
ⓘ
Stała dyfuzji dla PNP [D
p
]
Centymetr kwadratowy na sekundę
Metr kwadratowy na sekundę
Milimetr kwadratowy na sekundę
+10%
-10%
✖
Czas przejścia w tranzystorze ma kluczowe znaczenie, ponieważ określa maksymalną częstotliwość, przy której tranzystor może efektywnie pracować.
ⓘ
Czas przejścia tranzystora PNP [τ
f
]
Miliardy lat
Cykl 60 Hz AC
Cykl AC
Dzień
Femtosecond
Godzina
Mikrosekunda
Milisekundy
Minuta
Miesiąc
Nanosekunda
Picosecond
Drugi
Svedberg
Tydzień
Rok
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Czas przejścia tranzystora PNP
Formuła
τ
f
=
W
b
2
2
⋅
D
p
Przykład
0.32 s
=
8 cm
2
2
⋅
100 cm²/s
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Czas przejścia tranzystora PNP Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Czas tranzytowy
=
Szerokość podstawy
^2/(2*
Stała dyfuzji dla PNP
)
τ
f
=
W
b
^2/(2*
D
p
)
Ta formuła używa
3
Zmienne
Używane zmienne
Czas tranzytowy
-
(Mierzone w Drugi)
- Czas przejścia w tranzystorze ma kluczowe znaczenie, ponieważ określa maksymalną częstotliwość, przy której tranzystor może efektywnie pracować.
Szerokość podstawy
-
(Mierzone w Metr)
- Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.
Stała dyfuzji dla PNP
-
(Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę)
- Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Szerokość podstawy:
8 Centymetr --> 0.08 Metr
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Stała dyfuzji dla PNP:
100 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 0.01 Metr kwadratowy na sekundę
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
τ
f
= W
b
^2/(2*D
p
) -->
0.08^2/(2*0.01)
Ocenianie ... ...
τ
f
= 0.32
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.32 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.32 Drugi
<--
Czas tranzytowy
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Wzmocnienie kanału P
»
Czas przejścia tranzystora PNP
Kredyty
Stworzone przez
Rahula Guptę
Uniwersytet Chandigarh
(CU)
,
Mohali, Pendżab
Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Ritwik Tripathi
Vellore Instytut Technologiczny
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!
<
Wzmocnienie kanału P Kalkulatory
Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS
Iść
Prąd spustowy
=
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS
*
Współczynnik proporcji
*((
Napięcie między bramką a źródłem
-
modulus
(
Próg napięcia
))*
Napięcie między drenem a źródłem
-1/2*(
Napięcie między drenem a źródłem
)^2)
Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd
Iść
Prąd spustowy
=
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS
*
Współczynnik proporcji
*(
modulus
(
Efektywne napięcie
)-1/2*
Napięcie między drenem a źródłem
)*
Napięcie między drenem a źródłem
Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS
Iść
Prąd drenu nasycenia
= 1/2*
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS
*
Współczynnik proporcji
*(
Napięcie między bramką a źródłem
-
modulus
(
Próg napięcia
))^2
Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov
Iść
Prąd drenu nasycenia
= 1/2*
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS
*
Współczynnik proporcji
*(
Efektywne napięcie
)^2
Zobacz więcej >>
Czas przejścia tranzystora PNP Formułę
Czas tranzytowy
=
Szerokość podstawy
^2/(2*
Stała dyfuzji dla PNP
)
τ
f
=
W
b
^2/(2*
D
p
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!